[发明专利]读出电路版图在审

专利信息
申请号: 202210028129.8 申请日: 2022-01-11
公开(公告)号: CN116467988A 公开(公告)日: 2023-07-21
发明(设计)人: 杨桂芬 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G06F30/392 分类号: G06F30/392;G06F30/3947;G06F115/12
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开涉及半导体电路设计领域,特别涉及一种读出电路版图,包括:第一PMOS版图,用于形成第一PMOS管,第一PMOS管的源极连接第一信号端,第一信号端用于接收第一电平信号;第一NMOS版图,用于形成第一NMOS管,第一NMOS管的源极连接第二信号端,第二信号端用于接收第二电平信号;第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极连接位线,第一PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极连接互补读出位线;第二PMOS版图,用于形成第二PMOS管,第二PMOS管的源极连接第一信号端;第二NMOS版图,用于形成第二NMOS管,第二NMOS管的源极连接第二信号端;第二PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极连接互补位线,第二PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极连接读出位线,以提高感测放大器的读出准确性。
搜索关键词: 读出 电路 版图
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210028129.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top