[发明专利]一种介电层平坦度优化的方法及装置在审
| 申请号： | 202210031918.7 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114388428A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 徐俊杰;叶甜春;朱纪军;罗军;李彬鸿;赵杰 | 申请（专利权）人： | 澳芯集成电路技术（广东）有限公司;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 苗雨 |
| 地址： | 510700 广东省广州市黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种介电层平坦度优化的方法及装置，该方法用于集成电路器件，集成电路器件的表面分为密集区和空旷区，密集区存在器件凸起，空旷区无器件凸起，该方法包括：对集成电路器件进行成膜处理，生成介电层以及第一研磨层；对第一研磨层进行平坦化处理，获得第一研磨面，处理后的第一研磨面位于介电层以及第一研磨层之间；基于介电层和第一研磨层的刻蚀比例，对第一研磨面进行刻蚀，获得第二研磨面，第二研磨面位于介电层，且研磨面的平坦度大于平坦度阈值。本方案提供的技术可以将介电层全局落差降至最小，不仅满足工艺需求，也大大增加了后续工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介电层 平坦 优化 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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