[发明专利]一种电子级正硅酸乙酯、电子级聚硅酸乙酯的合成工艺有效
| 申请号： | 202210032188.2 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114507250B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 刘明锋;吴兵兵;甘俊;甘书官;陈圣云 | 申请（专利权）人： | 湖北江瀚新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/04 | 分类号： | C07F7/04;C08G77/02 |
| 代理公司： | 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人： | 范三霞 |
| 地址： | 434000 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种普通正硅酸乙酯纯化制备电子级正硅酸乙酯和电子级聚硅酸乙酯的合成方法工艺，包括如下步骤：先以普通正硅酸乙酯、超纯水(电阻率大于18MΩ*cm)为原料，在洁净实验环境下，利用正硅酸乙酯中的金属杂质为催化剂，将部分正硅酸乙酯自催化水解为二氧化硅颗粒，包裹住正硅酸乙酯中的金属杂质，再经常规蒸馏分离出电子级正硅酸乙酯产品，然后以电子级正硅酸乙酯、乙醇、盐酸、超纯水在洁净的实验环境下水解合成电子级聚硅酸乙酯产品，不需过滤，可直接满足于半导体、单晶片研磨料、芯片灌封、高纯石英砂等领域的使用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 硅酸 合成 工艺 | ||
【主权项】：
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