[发明专利]半导体结构及测试方法在审
| 申请号： | 202210036449.8 | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN114373739A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 庄凌艺 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/48;G11C11/401;G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 陈亚男;刘芳 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体结构及测试方法，半导体结构包括：衬底；至少一个硅通孔，硅通孔设置于衬底中，且与第一探测垫电性连接；至少一个接触结构，接触结构的底部延伸到衬底内部，且与第二探测垫电性连接；第一探测垫和第二探测垫位于衬底上方且相邻间隔设置；掺杂层，掺杂层位于衬底内部，且在接触结构的底部与接触结构电性连接。本公开实施例提供一种半导体结构及测试方法用于检测硅通孔的漏电状态。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 测试 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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