[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210037074.7 | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN116487351A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 寗树梁;何军;刘杰;应战 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L25/18;H10B80/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 姚姝娅 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括：芯片单元，芯片单元包括若干第一芯片，各第一芯片上设有多个用于接收不同控制信号的焊盘；重布线层，位于芯片单元上，包括若干底层金属线，各底层金属线用于传输不同的控制信号，各底层金属线与对应接收相同控制信号的焊盘电连接。提高了连接信号输出端和第一芯片上接收不同控制信号的焊盘的速度，简化了半导体结构的工艺流程，提高了半导体结构的良率，降低了半导体结构的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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