[发明专利]半导体存储器装置在审

专利信息
申请号: 202210040821.2 申请日: 2022-01-14
公开(公告)号: CN115548022A 公开(公告)日: 2022-12-30
发明(设计)人: 饭岛夏来 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L27/11521 分类号: H01L27/11521;H01L27/11548;H01L27/11556;H01L27/11568;H01L27/11575;H01L27/11582
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 根据实施例的半导体存储器装置包含:第一导电层;堆叠体,其包含在所述第一导电层上方交替地逐一堆叠的多个第二导电层与多个第一绝缘层,并且包含台阶部分,在所述台阶部分中所述多个第二导电层成梯台;以及板状部分,其包含第三导电层,所述第三导电层在所述堆叠体中沿所述堆叠方向和所述第一方向从所述台阶部分连续地延伸到存储器区域,所述板状部分在与所述堆叠方向和所述第一方向两者交叉的第二方向上分割所述堆叠体。所述板状部分在所述台阶部分中包含在所述第一方向上间断地布置的多个触点部分,所述多个触点部分穿透所述堆叠体并与所述第一导电层连接。
搜索关键词: 半导体 存储器 装置
【主权项】:
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