[发明专利]用于电子束曝光的对准标记及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210042527.5 申请日: 2022-01-14
公开(公告)号: CN114460819A 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 张钦彤;裴天 申请(专利权)人: 北京量子信息科学研究院
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;G03F7/20
代理公司: 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 代理人: 项荣;何春晖
地址: 100094 北京市海淀区中*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请提供一种用于电子束曝光的对准标记及其制备方法,制备方法包括:在衬底上覆盖光刻胶;以预定形状对所述光刻胶进行曝光并显影,以去除所述衬底上的一部分光刻胶,从而形成具有所述预定形状的图案;在所述衬底和保留在所述衬底上的光刻胶上沉积金属的同时,使保留在所述衬底上的光刻胶受热膨胀;以及去除保留在所述衬底上的光刻胶及其上沉积的金属,从而在所述衬底上得到具有所述预定形状的沉积金属。本申请的技术方案提高了对准标记的对准效果。
搜索关键词: 用于 电子束 曝光 对准 标记 及其 制备 方法
【主权项】:
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