[发明专利]DRAM测试方法、电子设备和存储介质在审
| 申请号： | 202210046739.0 | 申请日： | 2022-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN114528164A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 宋文杰 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶存科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/22 | 分类号： | G06F11/22;G06F11/26 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 张志辉 |
| 地址： | 518048 广东省深圳市福田区福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DRAM测试方法，包括以下步骤：获取DRAM的时序参数，所述DRAM具有两个RANK，每个RANK具有对应的片选引脚和时钟使能引脚；根据所述时序参数，对所述DRAM进行初始化；测试所述DRAM的第一个RANK；待测试完成后，DRAM控制器进入自刷新模式；同步第二个RANK的使能时钟，激活第二个RANK的初始校验参数，并将片选时钟由第一个RANK切换至第二个RANK，以对第二个RANK进行测试；待第二个RANK测试完成后，所述DRAM控制器退出自刷新模式。根据本发明的DRAM测试方法，能够进行两个RANK之间的切换测试，用同样的地址能够表达两个部分的DRAM真实行列地址，从而达到成倍的提升可测试的DRAM容量。 | ||
| 搜索关键词： | dram 测试 方法 电子设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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