[发明专利]一种集成式电压采样的SGT-MOSFET器件有效
| 申请号： | 202210048703.6 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114068496B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;姜春亮;雷秀芳 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京惟盛达知识产权代理事务所(普通合伙) 11855 | 代理人： | 董鸿柏 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成式电压采样的SGT‑MOSFET器件，包括：SGT‑MOSFET主元胞区；两个过压采样区，分别设置在SGT‑MOSFET主元胞区的两侧；两个过压采样辅助区，分别设置在SGT‑MOSFET主元胞区的两侧，在围绕SGT‑MOSFET主元胞区的方向上，过压采样区与过压采样辅助区间隔设置，过压采样辅助区包括多个SGT‑MOSFET过压采样辅助元胞，所述SGT‑MOSFET过压采样辅助元胞与所述SGT‑MOSFET主元胞的结构相同；终端区包围所述两个过压采样区和两个过压采样辅助区。本发明实现了对SGT‑MOSFET的漏极采样，提高了器件的工作寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 电压 采样 sgt mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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