[发明专利]二极管结构及半导体装置在审
| 申请号： | 202210051680.4 | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN116487442A | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 李京达;甘铠铨;罗宗仁 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 方艳平 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种二极管结构，包含基底、第一井区、第一掺杂区、环状井区、阳极、第二井区、第二掺杂区及阴极。基底具有第一导电类型，第一井区具有与第一导电类型相反的第二导电类型且设置于基底中，第一掺杂区具有第一导电类型且设置于第一井区中，环状井区具有第二导电类型，设置于第一井区中且围绕第一掺杂区，阳极设置于第一掺杂区上，第二井区具有第二导电类型，与第一井区分离且设置于基底中，第二掺杂区具有第二导电类型且设置于第二井区中，阴极设置于第二掺杂区上。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 结构 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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