[发明专利]一种基于NandFlash的非均匀校正系数存储方法及其系统在审
| 申请号： | 202210053413.0 | 申请日： | 2022-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN114385087A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 王征;何云丰;王栋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 孟洁 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及航天技术领域，特别涉及一种基于NandFlash的非均匀校正系数存储方法及其系统；本发明先规划校正系数在NandFlash中的存储格式，高效地利用存储空间，预先在地面将校正系数存入NandFlash中；然后在FPGA内部使用RAM存储器开辟一个坏块管理表，对应一组NandFlash的全部存储空间，使用坏块管理表建立块的逻辑地址与物理地址的映射关系；相机在轨上电后，读取NandFlash首地址的数据替换坏块管理表；最后将NandFlash中的校正系数导出到DDR3存储器中，对拍摄的图像进行非均匀性校正。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 nandflash 均匀 校正 系数 存储 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
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