[发明专利]一种重构三元层状陶瓷VSnC晶体及其电子束辐照处理方法有效
| 申请号： | 202210056052.5 | 申请日： | 2022-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN114368753B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 李文波 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C01B32/90 | 分类号： | C01B32/90 |
| 代理公司： | 天津玺名知识产权代理有限公司 12237 | 代理人： | 陈杰 |
| 地址： | 300000 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种重构三元层状陶瓷VSnC晶体及其电子束辐照处理方法，包括以下步骤，步骤一、制备三元层状陶瓷VSnC粉末；步骤二、制备透射电镜样品，并置于透射电镜中，在粉末样品中寻找表面平整、厚度均匀、无污染且晶带轴与电子束照射方向平行的区域作为辐照区域；步骤三、诱导材料发生晶体重构。本技术方案中三元层状陶瓷VSnC晶体通过对制备三元层状陶瓷VSnC晶体的粉体材料进行合理配比，并对辐照参数进行优化设计，得到单相的三元层状陶瓷VSnC晶体，通过采用常规的电子显微镜，利用电子束辐照诱导三元层状陶瓷VSnC晶体重构，并通过投射电镜观察陶瓷VSnC粉末微结构变化，整个操作简单，烧结过程可控，具有推广应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三元 层状 陶瓷 vsnc 晶体 及其 电子束 辐照 处理 方法 | ||
【主权项】：
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