[发明专利]一种沉铜工艺前处理方法及芯片封装工艺在审
申请号: | 202210059202.8 | 申请日: | 2022-01-19 |
公开(公告)号: | CN114481108A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 魏厚韬;操守杰 | 申请(专利权)人: | 合肥矽迈微电子科技有限公司 |
主分类号: | C23C18/54 | 分类号: | C23C18/54;C23F1/28;C23F17/00;C23G1/08;C25D5/36 |
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地址: | 230088 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种沉铜工艺前处理方法及芯片封装工艺,包括以下步骤,步骤一:准备芯片封装工艺中的所采用的不锈钢钢板作为基材;步骤二:对沉铜工艺之前的蚀刻生产线中设置至少一组化学药水槽;步骤三:在化学药水槽中添加混合液,混合液先与不锈钢钢材表面氧化膜参与反应除去氧化膜,然后,再参与化学置换反应形成Cu单质的反应介质。本发明的沉铜工艺前处理方法具有以下优点:采用快速蚀刻和药水洗,通过化学处理,可自由实现控制钢板表面粗糙度,此法高效简单,工作劳动强度大大减轻。 | ||
搜索关键词: | 一种 工艺 处理 方法 芯片 封装 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理