[发明专利]半导体的离子溅射方法在审
| 申请号： | 202210080206.4 | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN116516301A | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 冯明章 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 廖慧琪 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体的离子溅射方法，包括：将半导体放置于离子溅射仪的样品台上；向所述离子溅射仪的真空腔内通入工作气体，使得所述真空腔达到预设真空度；将所述离子溅射仪的靶台的方向调整至与所述离子溅射仪的离子源的离子束发射方向平行；启动所述离子溅射仪；在预设时间后，通入反应气体，将所述靶台的方向调整至工作方向，以对所述半导体进行离子溅射。采用本发明实施例，能有效提高镀层质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 离子 溅射 方法 | ||
【主权项】：
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