[发明专利]一种铁电场效应晶体管存储器件结构在审
| 申请号： | 202210081555.8 | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN114420647A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 孙静;龚希文;谢斌;贺聘彬;苏焱鸿;钟紫晴 | 申请（专利权）人： | 湖南工程学院 |
| 主分类号： | H01L23/057 | 分类号： | H01L23/057;H01L23/544;H01L23/00;H05K1/18;G11C11/40 |
| 代理公司： | 广州速正专利代理事务所(普通合伙) 44584 | 代理人： | 钟水祥 |
| 地址： | 411104 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铁电场效应晶体管存储器件结构，包括存储器件结构本体，所述存储器件结构本体包括壳体、引脚、压板和防潮板，所述壳体的表面贴装有压板，所述压板的表面设置有信息标签，所述壳体的内部设置有防护层，所述防护层的底端设置有衬底，所述壳体的底端设置有绝缘柱，所述绝缘柱的底端贴装有防潮板，所述壳体的两侧连接有多个引脚，所述引脚的末端设置有焊板，所述焊板的中间设置有锡柱，所述锡柱的侧边连接有铜条，所述壳体的表面涂抹有填充胶，所述压板通过填充胶附着在壳体的顶部，该铁电场效应晶体管存储器件结构具有高效的防伪防篡改功能，焊装时更加快捷精准，引脚安装更加统一稳固，具有一定的防潮效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 效应 晶体管 存储 器件 结构 | ||
【主权项】：
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