[发明专利]形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202210084428.3 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114724947A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张君毅;王俊尧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/033;H01L21/027;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在沉积时，硬掩模薄膜具有内应力分量，该内应力分量是掩模层的材料、厚度、沉积工艺以及下层材料和形貌的伪像。在图案化时，尤其是在图案化亚微米临界尺寸时，这种内应力可导致掩模层变形和扭曲。采用应力补偿工艺减少这种内应力的影响。例如，可采用热处理来释放应力。在另一实例中，采用具有相反内应力分量的第二掩模层抵消硬掩模层中的内应力分量。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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