[发明专利]半导体存储装置在审
申请号: | 202210086608.5 | 申请日: | 2022-01-25 |
公开(公告)号: | CN115938457A | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 佐藤裕治;驹井宏充 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42;G11C8/08;G11C7/12 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种能提高数据输入输出的鲁棒性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含:多个数据锁存电路(XDL),用于感测放大电路与输入输出电路之间的数据的输入输出;及总线(XBUS),连接于多个数据锁存电路(XDL)。数据锁存电路(XDL)包含:反相电路(XIV),暂时保存在感测放大电路与输入输出电路之间输入输出的数据;以及N通道型MOS晶体管(TN31)、(TN32)及P通道型MOS晶体管(TP31),并联设置于反相电路(XIV)与总线(XBUS)之间。N通道型MOS晶体管(TN31)、(TN32)多重化。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司,未经铠侠股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210086608.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。