[发明专利]InGaN基红光发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202210087956.4 | 申请日： | 2022-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114597298A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;王江波;朱广敏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/44;H01L33/00;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种InGaN基红光发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该InGaN基红光发光二极管芯片包括依次层叠的基板、发光结构和平坦层；所述平坦层包括依次层叠的氮化硅层和多个复合层，所述氮化硅层位于所述发光结构远离所述基板的表面，所述复合层包括交替层叠的第一氧化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层的沉积温度高于所述第二氧化硅层的沉积温度。本公开实施例能改善平坦层冷热影响下产生裂痕的问题，增强芯片阻挡水汽的性能，提升芯片的耐用性。 | ||
| 搜索关键词： | ingan 红光 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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