[发明专利]一种晶圆级可重构Chiplet集成结构的制备方法在审
| 申请号： | 202210093602.0 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114420578A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 单光宝;杨子锋;郑彦文;杨银堂;李国良;饶子为;孟宝平 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/768;H01L21/52 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 许攀 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本申请属于半导体封装技术领域，具体提供了一种晶圆级可重构Chiplet集成结构的制备方法，该方法包括如下步骤：S1，在晶圆上制备可重构拓扑网络，并在其上覆盖绝缘层；S2，在晶圆上制备凹槽，并进行钝化；S3，将Chiplet放入凹槽中，并进行化学机械抛光，连接Chiplet和可重构拓扑网络；S4，在晶圆上制备硅通孔和微凸点，并进行减薄；S5，多层晶圆进行堆叠键合；S6，将键合后的多层晶圆进行划片、封装。本发明方法制备的晶圆级可重构Chiplet集成结构具有可重构特性；多层晶圆堆叠工艺能够避免了子模块失效引起的稳定性较差的问题；垂直堆叠结构使得水平布线的面积和长度减小，缩小集成结构的面积开销；因此，发明方法制备的集成结构的适用性和稳定性较强，且集成度较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级可重构 chiplet 集成 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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