[发明专利]改善STI平坦度的方法在审
| 申请号： | 202210097309.1 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114496779A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 靳丹丹;沈耀庭;周春 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3115 | 分类号： | H01L21/3115;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善STI平坦度的方法，提供衬底，衬底上形成有阱，还形成有STI用以定义出的有源区；在衬底上形成覆盖STI和有源区的光刻胶层，光刻使得有源区和部分STI裸露；对裸露的有源区和部分STI进行离子注入，用以形成轻掺杂漏；利用非激活离子对裸露的有源区和部分STI进行离子注入，其中STI被离子注入的深度为第一深度，未被离子注入的深度为第二深度，第一深度与第二深度的差值小于10埃。本发明改善了离子注入的STI区域与未进行离子注入的STI区域间高度的差异，便于去除伪栅，避免金属栅成型后的性能受到影响。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 sti 平坦 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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