[发明专利]集成电路结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202210107837.0 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114823613A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 陈万得;陈重辉;陈威志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路结构及其制造方法，集成电路结构包括半导体基材、底部电极线路、电容器结构、顶部电极线路。底部电极线路在半导体基材上方。电容器结构在底部电极线路上方。电容器结构包括底部金属层、底部金属层之上的中间金属层、及中间金属层之上的顶部金属层。当在平面图中观察时，顶部金属层具有沿第一方向延伸的相对直边缘及连接相对直边缘的相对方波形边缘，方波形边缘各包含沿垂直于第一方向的第二方向延伸的交替的第一及第二区段，以及第三区段，第三区段各连接第一及第二区段中相邻的两个，其中第三区段沿第一方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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