[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210109611.4 | 申请日： | 2022-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN115132667A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 林亮臣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/538;H01L27/118 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一和第二核心区域；第一和第二输入/输出(I/O)区域，彼此耦合并耦合至第一和第二核心区域；第一和第二I/O区域介于可消耗区域和对应的第一和第二核心区域之间；密封环，围绕核心区域和I/O区域；金属化层和互连层；相互通信(inter‑com)段，在I/O区域之间延伸；第一和第二护壁，从密封环的第一侧延伸到第三侧或从对应的第三和第四护壁上的第一位置延伸到第二位置，后者从密封环的第一侧延伸到第三侧；第一护壁介于第一核心区域和第一I/O区域之间；并且第二护壁介于第二核心区域和第二I/O区域之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210109611.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
