[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202210114059.8 | 申请日： | 2022-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN115084006A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 黄彦之;孙立安;蔡哲恩;江祐鳞;黄崇铨;陈志壕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法包括：在导电部件上方形成第一蚀刻停止层(ESL)，在第一ESL上形成第一介电层，在第一介电层上形成第二ESL，在第二ESL上形成第二介电层，在第二介电层中形成沟槽，在沟槽的底面中形成延伸穿过第二介电层的第一开口，以及在第一开口的底面中形成第二开口。第二开口延伸穿过第一介电层和第一ESL。第二开口暴露导电部件的顶面。该方法还包括加宽第一开口至第二宽度，用导电材料填充沟槽以形成导线，以及用导电材料填充第二开口和第一开口以形成导电通孔。本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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