[发明专利]一种多端口Ram的实现方法在审
申请号: | 202210153560.5 | 申请日: | 2022-02-18 |
公开(公告)号: | CN114519023A | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 郑利 | 申请(专利权)人: | 芯河半导体科技(无锡)有限公司 |
主分类号: | G06F13/38 | 分类号: | G06F13/38 |
代理公司: | 北京神州信德知识产权代理事务所(普通合伙) 11814 | 代理人: | 朱俊杰 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新吴区菱*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及Ram技术领域,尤其涉及多端口Ram的实现方法,其中,该方法包括:使用简单端口1w1r Ram或者同时结合简单双端口2wr Ram这种应用较为普遍的Ram来实现多端口的Ram,此种方式对于频率无特殊需求,实现方式更为简单高效、且对Ram芯片面积需求更小。 | ||
搜索关键词: | 一种 多端 ram 实现 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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