[发明专利]提高晶圆边缘产品良率的方法在审
| 申请号： | 202210170196.3 | 申请日： | 2022-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114695080A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 许亮;李孝慈;陈宏璘;龙吟;王恺 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高晶圆边缘产品良率的方法，提供衬底，衬底上形成有浅沟槽，之后在衬底上形成覆盖浅沟槽的第一氧化层；在第一氧化层上形成第二氧化层；研磨第二氧化层以及其下方的第一氧化层，使得衬底边缘的第一氧化层的厚度为第一厚度；刻蚀剩余的第一氧化层，使得衬底边缘的第一氧化层的厚度为第二厚度；在衬底淀积覆盖浅沟槽和第一氧化层的栅极层；在栅极层上形成第三氧化层，研磨第三氧化层至栅极层上方；回刻第三氧化层，利研磨栅极层，使得栅极层的顶端平坦化。本发明对晶圆边缘缺陷清洁并且晶圆边缘良率得到改善；保留部分氧化物在晶圆上，晶圆薄膜应力降低。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 边缘 产品 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
