[发明专利]TFT器件及其制备方法、阵列基板在审
| 申请号： | 202210178801.1 | 申请日： | 2022-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN114582980A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 弓程 | 申请（专利权）人： | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 510700 广东省广州市黄埔区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TFT器件及其制备方法、阵列基板，该TFT器件中的有源层包括：源极掺杂区、漏极掺杂区、位于源极掺杂区和漏极掺杂区之间的沟道区；源极掺杂区与源极之间设置有第一金属氧化物层，漏极掺杂区与漏极之间设置有第二金属氧化物层，源极通过第一金属氧化物层与源极掺杂区电性连接，漏极通过第二金属氧化物层与漏极掺杂区电性连接；由于第一金属氧化物层和第二金属氧化物层与有源层中的金属氧化物层接触较好，第一金属氧化物层和第二金属氧化物层可以作为源极、漏极与有源层之间的过渡层，可以有效改善二者欧姆接触问题，从而提高TFT器件的充电率，进而满足大尺寸显示面板的显示分辨率和刷新率。 | ||
| 搜索关键词： | tft 器件 及其 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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