[发明专利]一种PVDF基压电传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210184724.0 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114577374A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 林国良;林奥翔;麻胜兰;张筱逸;林荣和;戴龙辉 | 申请（专利权）人： | 福建工程学院;福建省兴岩建设集团有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/16 | 分类号： | G01L1/16;H01L41/08;H01L41/18;H01L41/37;D01D5/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 张灯灿;蔡学俊 |
| 地址： | 350118 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种PVDF基压电传感器及其制备方法，该传感器包括BT‑BFO/PVDF复合压电薄膜、两片导电银胶带、两片塑封膜、冷压端子和屏蔽导线，所述BT‑BFO/PVDF复合压电薄膜由BT‑BFO纳米材料和PVDF材料制成，所述两片导电银胶带上分别具有引脚部，所述两片导电银胶带分别贴附于BT‑BFO/PVDF复合压电薄膜的上、下两侧，所述两片塑封膜分别贴附于两片导电银胶带的上、下两侧，所述两片导电银胶带的引脚部分别连接一所述冷压端子，两个所述冷压端子分别连接所述屏蔽导线。该传感器介电常数高，介电损耗低，工作温度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pvdf 压电 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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