[发明专利]一种夹渣含杂的单晶锗废料除杂方法有效
| 申请号： | 202210196199.4 | 申请日： | 2022-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN114622272B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 刘得伟;李宝学;杨涛;尹正雄;赵伟;周安祥;陆贵兵;普世坤 | 申请（专利权）人： | 昆明云锗高新技术有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/08 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 刘敏 |
| 地址： | 650000 云南省昆明市高新*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明属于锗单晶生长技术领域，具体公开一种夹渣含杂锗废料除杂方法，包括以下步骤：单晶锗生长废料融化；废料夹渣降温再结晶：锗废料完全融化为熔融态后，调整加热功率使温度下降15℃~50℃，使熔体再结晶；腔室流场控制：经过再结晶处理后的锗熔体，控制压强、坩埚旋转速度，保持真空泵蝶阀的开度为60%~80%；使锗熔体表面的氧化物浮渣向熔体中心移动；浮渣提拉沾附：控制籽晶杆转速，向下移动与浮渣进行接触，提拉籽晶杆，结晶长大到直径80mm~100mm时，结晶体快速冷却，去除杂质，通过本发明的方案，对单晶锗生长过程中产生的夹渣含杂锗废料进行除杂，经过除杂的锗废料，纯度达到6N以上，成为完全符合P型和N型单晶锗直拉法生长所需的原料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 夹渣含杂 单晶锗 废料 方法 | ||
【主权项】：
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