[发明专利]真空处理装置和使用该真空处理装置的真空处理方法在审
| 申请号： | 202210202538.5 | 申请日： | 2022-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN115020275A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 郑京勳;西口昌男;岩瀬大辅;卢基俊;张万洙 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司;株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C14/04;C23C14/34;C23C14/56;C23C16/04;C23C16/54 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 张红霞;周艳玲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种真空处理装置和使用该真空处理装置的真空处理方法。一种真空处理装置，包括：沿着第一方向依次布置的多个传送室；沿着垂直于所述第一方向的第二方向连接到所述多个传送室的多个处理室；以及连接到所述多个传送室中的第一传送室的位置转换室。所述多个传送室各自包括旋转运动台，所述旋转运动台被配置用以围绕垂直于所述第一方向和所述第二方向的旋转轴线旋转，并且用以沿着由所述第一方向和所述第二方向形成的平面移动。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 处理 装置 使用 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
