[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210204910.6 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN115036309A | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 松本拓也 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 任天诺;高培培 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供可小型化的半导体装置，具备：基板；第一源极指，设置于基板上；第一栅极指，在宽度方向上相邻地沿着第一源极指而设置于基板上；第一漏极指，与第一源极指隔着第一栅极指；第二源极指，相对于第一源极指设置于延伸方向的基板上，在延伸方向上延伸；第二栅极指，在宽度方向上相邻地沿着第二源极指而设置于从第一栅极指起位于延伸方向的基板的区域上；第二漏极指，与第二源极指隔着第二栅极指；第一栅极布线，与第一栅极指的第一端连接不与第二栅极指连接，在宽度方向上延伸，第一部位处的第一栅极布线在延伸方向的宽度比第二部位处的宽度小，第一部位的第二栅极指侧端位于比第二部位的第二栅极指侧端靠第一栅极指侧处。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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