[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210206901.0 | 申请日： | 2022-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN115835641A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 石月惠 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H10B43/27;H10B43/35 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备：积层体，包含多个上层导电层及设置在所述多个上层导电层的下层侧的多个下层导电层的多个导电层在第1方向彼此相隔积层，具有阶梯状的端部，且所述多个上层导电层作为与NAND串相对的选择栅极线发挥功能，所述多个下层导电层作为与NAND串相对的字线发挥功能；多个柱状构造，分别包含在所述积层体内在所述第1方向延伸的半导体层；及第1接点，与包含在所述多个上层导电层且连续积层的2个以上的第1上层导电层连接，跨越所述2个以上的第1上层导电层的上表面而设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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