[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202210208242.4 | 申请日： | 2022-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN115835631A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 四元聡;须田圭介;田代健二;山下徹也;一之瀬大吾 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/20;H10B43/20;H10B43/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体存储装置具备：积层体，具有多个导电层与多个绝缘层以1层为单位交替地积层而成的积层构造，包含在与多个导电层的积层方向交叉的第1方向上排列的存储器区域及虚设区域，虚设区域包含第1阶梯部，该第1阶梯部是在第1方向上与存储器区域为相反侧的端部将多个导电层的至少上层侧的一部分加工成阶梯状而终止；以及第1及第2板状部，在与积层方向及第1方向交叉的第2方向上离开的存储器区域内的位置，在积层体内沿积层方向及第1方向延伸，且在虚设区域内相互直接或间接地连接而终止，分别将除了虚设区域的端部的至少一部分以外的积层体在第2方向上分割。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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