[发明专利]一种制备纯相多壳层Si2有效

专利信息
申请号: 202210226836.8 申请日: 2022-03-08
公开(公告)号: CN114684797B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 耿玉琦;朱庆山;向茂乔;赵宇翔 申请(专利权)人: 中国科学院过程工程研究所
主分类号: C01B21/082 分类号: C01B21/082;B01J8/26
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 刘振;周玉秀
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种制备纯相多壳层Si2N2O空心球形粉体的系统和方法。该方法通过硅源气与氮源气混合发生反应生成硅胺前驱体粉体,随后经过多次交替吸附硅源气和氮源气与控制增氧的方法获得双壳层球形含氧前驱体粉体,后续进行副产物脱除和热分解得到双壳层纯相Si2N2O空心球形粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度的多壳层纯相Si2N2O球形粉体的难题,同时能够实现连续批量化制备,工艺流程简单,生产效率高。
搜索关键词: 一种 制备 纯相多壳层 si base sub
【主权项】:
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