[发明专利]一种半导体器件、终端结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202210227409.1 | 申请日： | 2022-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN114335154B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 姜春亮;李伟聪;雷秀芳 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳鼎恒诚知识产权代理有限公司 44820 | 代理人： | 陈俊斌;彭愿洁 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体器件、终端结构及其制造方法，终端结构，包括基底、主结和至少一个场限环；基底包括衬底以及漂移区；场限环的第一掺杂区形成在漂移区上；主结形成在漂移区上，主结包括第二掺杂区；主结上形成有增强环，增强环包括多晶硅结构以及位于多晶硅结构下方的第三掺杂区。由于增强环的存在，耗尽区缩小，使得界面空穴陷阱分布更集中于主结，增强环表面对界面陷阱电荷的敏感性降低，进而退化应力产生的热载流子对于表面电场的影响得以降低，退化效应得到缓解，抑制新的界面空穴电荷产生，加速器件在反向电流应力下达到击穿电压的平衡态，提高了抑制击穿电压退化的能力，提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 终端 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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