[发明专利]硅片的碱抛光方法、PERC电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202210231922.8 | 申请日： | 2022-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN114628252A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 胡劲松;彭彪;谢代鹏;鲁传磊;谈鹏远;吕武;朱昌俊;孙才杨;韦再华 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（安徽）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/0236;H01L31/18;C09G1/04 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴晓雯 |
| 地址： | 230031 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅片的碱抛光方法、PERC电池及其制备方法。该硅片的碱抛光方法包括：前清洗、碱抛光、后清洗、酸洗、慢提拉及干燥步骤。其中第一批次的碱抛光处理中的碱抛液为初始碱抛液，第n批次的碱抛光处理的碱抛液通过在第n‑1批次的碱抛液添加补液制得。初始碱抛液包括体积比为(320～340)：(9.5～12.5)：(2.5～3.5)的水、碱液及碱抛添加剂；补液中水、碱液及碱抛添加剂的比例为(5.5～6.5)：(0.24～0.28)：(0.17～0.20)。通过调整碱抛液的配方，上述硅片的碱抛光方法中硅片的减重量较小，能够减少硅片碱抛光减重量，降低制备过程中的碎片率，且经碱抛光的硅片背抛面光亮平整。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 抛光 方法 perc 电池 及其 制备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
