[发明专利]带有Si与有机中介层的先进封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202210238998.3 | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN114743945A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 方立志 | 申请（专利权）人： | 艾司博国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 季辰玲 |
| 地址： | 中国香港九龙旺角弥敦道721*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种带有Si与有机中介层的先进封装结构及其制造方法，结构包括低密度布线的基板、高密度RDL布线的Si中介层以及中密度RDL布线的有机介电层，Si中介层内嵌于基板表面，有机介电层采用扇出面板级封装于Si中介层及基板表面且与基板及Si中介层电性连接。Si中介层提供高密度RDL布线，扇出面板级封装制程的有机介电层提供中密度RDL布线，而FCBGA的基板提供低密度的布线，本发明先进封装结构同时使用这三种不同布线密度的介质，可以提供处理器、逻辑与多芯片整合在先进封装结构内，芯片从1个到6个都可以被放入封装体内，芯片数量越多，处理器的运算效率越好。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 si 有机 中介 先进 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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