[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202210239241.6 | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN115117144A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | J·瓦韦罗 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 尚玲;李维凤 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体器件。在一个示例中，半导体器件包括具有第一导电类型和阴极区域掺杂物浓度的阴极区域。电荷存储区域覆盖阴极区域并且具有第一导电类型和小于阴极区域掺杂物浓度的电荷存储区域掺杂物浓度。缓冲区域覆盖电荷存储区域并且具有第一导电类型、缓冲区域厚度、缓冲区域掺杂物浓度分布和缓冲区域峰值掺杂物浓度。漂移区域覆盖缓冲区域并且具有第一导电类型和漂移区域掺杂物浓度。与第一导电类型相反的第二导电类型的阳极区域邻近漂移区域。缓冲区域峰值掺杂物浓度大于电荷存储区域掺杂物浓度并且大于漂移区域掺杂物浓度。缓冲区域峰值掺杂物浓度与电荷存储区域间隔开并且与漂移区域间隔开。本文公开了其它相关示例和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210239241.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
