[发明专利]一种半导体加热盘有效
| 申请号： | 202210241549.4 | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN114678297B | 公开（公告）日： | 2023-04-21 |
| 发明（设计）人： | 张洋;杨仕品;孙先淼 | 申请（专利权）人： | 苏州智程半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 苏州友佳知识产权代理事务所(普通合伙) 32351 | 代理人： | 储振 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体加热盘，包括：底座，以及底部具有敞口的盖体，底座横向一侧内部设置工作台组件，及远离工作台组件的一侧内部设置驱动组件，盖体下方区域设置分隔罩，盖体与分隔罩之间的区域形成第一腔体，及连接分隔罩的第一连接柱，盖体顶部设置接头，盖体内设置供气体排出第一腔体的抽气通道，及被设置接头内与抽气通道连通的抽气口。通过申请实现晶圆与反应气体均匀接触，对反应气体进行回收利用，避免造成反应气体的浪费，并且能够分隔加热腔体，降低热量损失，而且当反应气体气压较大时，能够起到缓冲均化的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 加热 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
