[发明专利]磁传感器在审
| 申请号： | 202210241929.8 | 申请日： | 2022-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN115113113A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 山地勇一郎;原川修;龟野诚 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;梁策 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的技术问题在于，在具有用于将磁通集中于传感器芯片的聚磁体的磁传感器中，提高磁场的检测灵敏度。本发明的磁传感器(10)具备：传感器芯片(20)，其具有磁性体层(M1～M3)以及磁敏元件(R1～R4)；聚磁体(30)，其覆盖磁性体层(M1)；以及聚磁体(40)，其包含覆盖传感器芯片(20)的背面(22)的主体部(A)、覆盖传感器芯片的侧面(23、24)的突出部(B1、B2)、和覆盖磁性体层(M2、M3)的突出部(C1、C2)。突出部(C1、C2)具有面向磁性体层(M2、M3)的内面(47)，内面(47)的平坦性高于聚磁体(40)的其他至少一个表面。如上所述，由于聚磁体(40)的内面(47)的平坦性提高，因此，能够减小聚磁体(40)的内面(47)与传感器芯片(20)的间隙，由此能够提高磁场的检测灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 | ||
【主权项】：
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