[发明专利]具有改进的沟道迁移率的三维晶体管在审
| 申请号： | 202210246528.1 | 申请日： | 2014-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN114613771A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | S·弗莱克豪斯基;J·亨治尔;R·里克特;P·扎沃卡 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/161;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有改进的沟道迁移率的三维晶体管，提供一种包括至少第一及第二三维晶体管的半导体结构，其中，该第一晶体管与该第二晶体管彼此并联电性连接，以及其中，各晶体管包括源极和漏极，其中，该第一晶体管的源极和/或漏极分别与该第二晶体管的源极和/或漏极至少部分隔开。本发明还涉及一种用以形成这样的半导体结构的制程。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 沟道 迁移率 三维 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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