[发明专利]半导体器件的深阱电压的控制方法在审
| 申请号： | 202210249399.1 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN114822657A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 赵利川 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 赵翠萍;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的深阱电压的控制方法，所述半导体器件包括第一衬底、设置在第一衬底上的第一阱及设置在所述第一阱上的第二阱，所述控制方法包括：当对所述第二阱施加负电压时，降低所述第一阱的电压。本发明的优点是，通过降低第一阱电压的方式减小半导体器件的第二阱和第一阱之间的寄生电容，进而减小寄生电容消耗的电流，提高电路性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电压 控制 方法 | ||
【主权项】：
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