[发明专利]一种半导体发光元件在审
| 申请号： | 202210249609.7 | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN114678458A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 陈思河;王锋;王绘凝;贺春兰;洪灵愿;彭康伟 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件，包括：第一导电型半导体层和第二导电型半导体层；第一电极和第二电极，分别配置于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层上，并位于半导体发光元件的同一面侧；至少一条第二电极引线，包括与所述第二电极连接的连接段和从所述连接段向第一电极延伸的延伸段；其特征在于：所述第二电极引线延伸段具有自所述第二电极引线连接段延伸至逐渐靠近第一电极的第一部分和自第一部分延伸逐渐靠近第一电极的第二部分，所述第一部分的宽度自延伸方向呈递减变化的，所述第二部分的宽度是固定不变的。本发明第二电极引线延伸段的第一部分的宽度自延伸方向呈递减变化，可提升半导体发光元件的过电压冲击性能（EOS性能）。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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