[发明专利]存储单元、存储阵列及加工方法在审
| 申请号： | 202210257532.8 | 申请日： | 2022-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN116156900A | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 曹恒;仇圣棻 | 申请（专利权）人： | 昕原半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10B63/10;H10N70/20;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 王迎;袁文婷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区（上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储单元、存储阵列及加工方法，其中的存储单元包括相互间隔设置的第一二极管和第二二极管；其中，第一二极管包括n阱以及与n阱连接的第一N型掺杂区和第一P型掺杂区，第二二极管包括p阱以及与p阱连接的第二N型掺杂区和第二P型掺杂区；第一N型掺杂区与字线连接，第二P型掺杂区与RESET线连接；第一P型掺杂区以及第二N型掺杂区分别通过电阻存储器与位线连接。利用上述发明能够实现较小尺寸且具有较大驱动电流的存储阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 阵列 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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