[发明专利]薄膜晶体管基板在审
| 申请号： | 202210264790.9 | 申请日： | 2022-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN114695387A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 竹知和重;世良贤二;田中淳;何水;林飞鹏 | 申请（专利权）人： | 武汉天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华;何月华 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；导体层，所述导体层包括氧化物半导体薄膜晶体管的顶栅电极部；氧化物半导体层，所述氧化物半导体层位于所述顶栅电极部的下方且包括所述氧化物半导体薄膜晶体管的沟道区域；以及上绝缘层，所述上绝缘层位于所述导体层和所述氧化物半导体层之间。所述氧化物半导体层包括低电阻区域，所述低电阻区域的电阻低于所述沟道区域的电阻。所述低电阻区域在所述基板的面内方向上夹置所述沟道区域且含有引起所述低电阻区域的电阻降低的杂质。引起所述低电阻区域的电阻降低的所述杂质在层叠方向上的浓度分布具有一个或多个峰值。所述一个或多个峰值位于所述氧化物半导体层的外部。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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