[发明专利]一种低位错超高纯锗单晶的提拉方法有效
| 申请号： | 202210277220.3 | 申请日： | 2022-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN114574950B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 牛晓东;狄聚青;赵青松;顾小英 | 申请（专利权）人： | 安徽光智科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/22;C30B29/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈志海 |
| 地址： | 239000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低位错超高纯锗单晶的提拉方法，包括如下步骤：熔料、引晶、缩颈、放肩、等径、收尾和降温，在所述放肩与所述等径之间还包括如下步骤：放肩二：降低晶转速度和埚转速度，均匀升高拉速，按低降温频率控制均匀降温并保持一定时长，使得晶体直径逐渐长大至所述等径所需的晶体尺寸。在本方案中，通过先均匀降低晶转速度和埚转速度，均匀升高拉速；然后再降低频率均匀降温，使得晶体直径逐渐长大至所述等径所需的晶体尺寸，即为以便于使得晶体放肩和等径过程相衔接，使得晶体在此条件下会抑制界面的反转过程，防止晶体直径放肩后变细，晶体变得不规则，并防止晶体产生缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低位 高纯 锗单晶 方法 | ||
【主权项】：
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