[发明专利]掩模版及其修正方法

摘要

本发明提供一种掩模版及其修正方法。所述掩模版的修正方法包括提供掩模版，掩模版中形成有多个栅极图案，其中，多个栅极图案包括设计间距小于设定值的第一栅极图案和第二栅极图案，且第一栅极图案和第二栅极图案位置相对，在对掩模版进行图案修正时，将第一栅极图案靠近第二栅极图案的部分边界沿远离第二栅极图案的方向外移。利用该掩模版制作栅极时，各个栅极图案对应一栅极，且设计间距小于设定值的第一栅极图案和第二栅极图案对应的栅极的形状更接近设计形状且不容易相互接触，进而可以改善栅极之间的短路问题，提高半导体器件的电性能。本发明还提供一种通过上述的掩模版的修正方法修正的掩模版。