[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202210285967.3 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN114975261A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 邱钰婷;周俊诚;王继欣;林群能;叶明熙 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文公开了蚀刻凹槽的改进方法。在一些实施方式中，在干蚀刻源极/漏极接触件上方的氧化物层之后、在清洁之前，氧化氟。因此，在清洁期间形成较少的氢氟酸，这减少了源极/漏极接触件不预期的湿蚀刻。这允许在源极/漏极接触件中形成深度与宽度比在约1.0至约1.4范围的凹槽，并且防止可能由过量氢氟酸引起对源极/漏极下方的硅化物层的损坏。额外或替代地，使用多个湿蚀刻工艺形成凹槽，并且在湿蚀刻工艺之间氧化任何氟残留。因此，每个湿蚀刻的时间可以更短且腐蚀性更小，这允许更好地控制凹槽的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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