[发明专利]用于在半导体晶片上形成层的旋涂设备及方法在审
申请号: | 202210294601.2 | 申请日: | 2022-03-24 |
公开(公告)号: | CN116092969A | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 李永尧;陈永祥 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 王素琴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于在具有中央区和外部边缘的半导体晶片上形成有均匀厚度的层的方法及旋涂机。所述方法包括在半导体晶片的中央区处上沉积一层涂布材料,所述层由涂布材料形成;使半导体晶片围绕轴线旋转,藉由离心力促使涂布材料从中央区向半导体晶片的外部边缘扩展开来;以及在靠近半导体晶片的外部边缘的一或多个区域中产生压差。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 晶片 形成层 设备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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