[发明专利]半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202210302589.5 | 申请日： | 2022-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN114883490A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 彭英浩;周钜凯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;C23C16/40 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 高翠花 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 该发明公开了一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，所述基底上包括间隔设置的电极柱；将所述基底设置在第一腔体内，并在所述基底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述电极柱；将所述基底转移至第二腔体内，并向所述第二腔体内通入惰性气体，以移除所述第二腔体内的水汽；向所述第二腔体内通入前驱体和反应气体，以在所述第一介质层上形成第二介质层；对所述第二腔体进行抽真空处理，以移除所述第二腔体内的水汽，且所述第二腔体内的压力小于通入所述惰性气体时所述第二腔体内的压力。根据本发明实施例的半导体结构的制造方法能够使得介电层沉积更为均匀，提高半导体结构的防漏电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210302589.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
