[发明专利]硅片切割方法及电池在审
| 申请号： | 202210319380.X | 申请日： | 2022-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN114823317A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 薛建锋;王永洁;余义;苏世杰 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（安徽）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065;H01L31/18;H01L31/0747;B23K26/38 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 侯武娇 |
| 地址： | 230031 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅片切割方法及电池。该硅片切割方法采用激光对硅片进行切割，且在进行所述切割的同时，对所述硅片的切割位置进行喷雾处理，得到切割后的硅片；所述喷雾处理采用喷雾试剂包括过氧化氢溶液；将所述切割后的硅片置于氢氟酸溶液中进行浸泡；或对所述切割后的硅片的切割面进行等离子刻蚀处理，所述等离子刻蚀处理采用的等离子源选自氟取代的C1～C20烷烃和氟取代的C2～C20烯烃中的至少一种。该方法能消除激光切割面的凹凸、毛刺、锯齿边等切割异常的部分，能够使得切割面光滑平整。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 切割 方法 电池 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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